Basics Of Electronic Devices
도표가 있는 전자 기기 핸드북, 1분 만에 주제 배우기
앱 세부 사항
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앱 설명
Android 앱 분석 및 검토 : Basics Of Electronic Devices, Engineering Wale Baba에서 개발했습니다. 도서/참고자료 카테고리에 나열되어 있습니다. 현재 버전은 12.0이며 03/09/2024 에 업데이트되었습니다. Google Play : Basics Of Electronic Devices에서 사용자 리뷰에 따르면. 8 천 이상의 설치를 달성했습니다. Basics Of Electronic Devices는 현재 22 리뷰, 평균 등급 3.8 스타를 보유하고 있습니다
응용 프로그램은 시험 및 인터뷰 시간에 빠른 학습, 수정, 참조를 위해 설계되었습니다.이 앱은 더 나은 학습과 빠른 이해를 위해 다이어그램, 방정식 및 기타 형태의 그래픽 표현으로 완성된 5개 챕터의 140개 주제를 가지고 있습니다.
이 앱은 대부분의 관련 주제와 모든 기본 주제에 대한 자세한 설명을 다룹니다.
전자 기기 앱에서 다루는 주제 중 일부는 다음과 같습니다.
1. 과도 및 a-c 조건: 저장된 전하의 시간 변화
2. 포토다이오드
3. P-N-P-N 다이오드
4. 반도체 제어 정류기
5. 발광 다이오드
6. 터널 다이오드
7. 트라이액
8. 다이악
9. 절연 게이트 바이폴라 트랜지스터
10. GUNN 다이오드 - 기본 원리
11. GUNN 다이오드 - 전자 전달 메커니즘
12. PNPN 다이오드 - 순방향 차단 및 전도 모드
13. 태양전지의 작동원리
14. 태양전지-I-V 특성
15. 정류기
16. 고장 다이오드
17. 광검출기
18. 포토다이오드 방정식
19. 핀 포토다이오드
20. 애벌랜치 포토다이오드
21. 발광재료
22. IMPATT 다이오드
23. IMPATT 다이오드 동작
24. 반도체 레이저
25. 반도체 레이저 - 언더 포워드 바이어스
26. 이종접합 레이저 작동
27. 금속 반도체 전계 효과 트랜지스터(MESFET)
28. MESFET - HEMT(고전자 이동성 트랜지스터)
29. 금속 절연체 반도체 FET(MISFET)
30. 다른 작동 조건에서 MISFET
31. 이상적인 MOS 커패시터
32. MOSFET: 실제 표면의 효과
33. MOSFET: 인터페이스 전하
34. MOSFET: 임계 전압
35. MOS 커패시턴스 전압 분석
36. MOSFET: 시간 종속 커패시턴스 측정
37. MOS 게이트 산화물의 전류-전압 특성
38. MOSFET
39. MOSFET: 출력 특성
40. MOSFET의 컨덕턴스 및 트랜스컨덕턴스
41. MOSFET: 전송 특성
42. MOSFET: 모빌리티 모델
43. MOSFET: 유효 횡전계
44. 단채널 MOSFET l-V 특성
45. MOSFET: 임계 전압 제어
46. MOSFET: 이온 주입에 의한 임계값 조정
47. MOSFET: 기판 바이어스 효과
48. MOSFET: 하위 임계값 특성
49. MOSFET의 등가 회로
50. MOSFET 스케일링 및 단채널 효과
51. MOSFET: 핫 캐리어 효과
52. MOSFET: 드레인 유도 장벽 낮추기
53. MOSFET의 단채널 효과와 좁은 폭 효과
54. MOSFET의 게이트 유도 드레인 누설
55. BJT 운용의 기본
56. BJT: 트랜지스터의 정공 및 전자 흐름 요약
57. BJT 작동의 기본: PN 접합
58. BJTS로 증폭
59. 평형 조건: 접촉 가능성
60. 평형 페르미 준위
61. 접합점에서의 공간 전하
62. 광학적 흡수
63. 광학 흡수 실험
64. 발광
65. 광발광
글자 수 제한으로 인해 모든 항목이 나열되지 않습니다.
특징 :
* 장 현명한 완전한 주제
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