Basics Of Electronic Devices

Android Lietotņu Analīze Un Pārskats: Basics Of Electronic Devices, Izstrādājusi Engineering Wale Baba. Uzskaitīts Grāmatas Un Uzziņas Kategorijā. Pašreizējā Versija Ir 12.0, Atjaunināta 11.-22. Saskaņā Ar Lietotāju Pārskatiem Vietnē Google Play: Basics Of Electronic Devices. Sasniegts Vairāk Nekā 8 Tūkstoš Instalācijas. Basics Of Electronic Devices Pašlaik Ir 22 Atsauksmes, Vidējais Vērtējums 3.8 Zvaigznes

Lietotne ir paredzēta ātrai apmācībai, pārskatīšanai, atsaucēm eksāmenu un interviju laikā.

Šajā lietotnē ir 140 tēmas 5 nodaļās ar diagrammām, vienādojumiem un cita veida grafiskiem attēlojumiem, lai nodrošinātu labāku mācīšanos un ātru izpratni.

Šī lietotne aptver lielāko daļu saistīto tēmu un detalizētu skaidrojumu ar visām pamata tēmām.

Dažas no elektronisko ierīču lietotnē ietvertajām tēmām ir:

1. Pārejoši un maiņstrāvas apstākļi: saglabātā lādiņa laika izmaiņas
2. Fotodiode
3. P-N-P-N diode
4. Pusvadītāju kontrolēts taisngriezis
5. Gaismas diode
6. Tuneļa diode
7. TRIAC
8. DIAC
9. Izolēts vārtu bipolārs tranzistors
10. GUNN diode- Pamatprincips
11. GUNN diode — pārsūtīto elektronu mehānisms
12. PNPN diode- uz priekšu bloķēšanas un vadīšanas režīms
13. Saules elementu darbības princips
14. Saules elementu I-V raksturojums
15. Taisngrieži
16. Sadalījuma diode
17. Fotodetektori
18. Fotodiožu vienādojumi
19. PIN PHOTODIODE
20. Lavīnu fotodiode
21. Gaismu izstarojošie materiāli
22. IMPATT diode
23. IMPATT diodes darbība
24.Pusvadītāju lāzeri
25. Pusvadītāju lāzeri- Zem priekšpuses nobīdes
26. Heterojunction lāzeru darbība
27. Metāla pusvadītāju lauka efekta tranzistori (MESFET)
28. MESFET — augstas elektronu mobilitātes tranzistors (HEMT)
29. Metāla izolatora pusvadītāju FET (MISFET)
30. MISFET dažādos darbības apstākļos
31. Ideāls MOS kondensators
32. MOSFET: Reālu virsmu efekti
33. MOSFET: Interfeisa uzlāde
34. MOSFET: sliekšņa spriegums
35. MOS kapacitātes sprieguma analīze
36. MOSFET: no laika atkarīgie kapacitātes mērījumi
37. MOS vārtu oksīdu strāvas-sprieguma raksturlielumi
38. MOSFET
39. MOSFET: izvades raksturlielumi
40. MOSFET vadītspēja un transvadītspēja
41. MOSFET: pārsūtīšanas raksturlielumi
42. MOSFET: mobilitātes modeļi
43. MOSFET: Efektīvs šķērslauks
44. Īsā kanāla MOSFET l-V raksturojums
45. MOSFET: sliekšņa sprieguma kontrole
46. ​​MOSFET: sliekšņa pielāgošana ar jonu implantāciju
47. MOSFET: Substrāta novirzes efekti
48. MOSFET: apakšsliekšņa raksturlielumi
49. MOSFET ekvivalentā shēma
50. MOSFET mērogošana un īsa kanāla efekts
51. MOSFET: karstā nesēja efekti
52. MOSFET: aizplūšanas izraisīta barjeras pazemināšana
53. MOSFET īsa kanāla efekts un šaura platuma efekts
54. Vārtu izraisīta notekas noplūde MOSFET
55. BJT DARBĪBAS PAMATI
56. BJT: Kopsavilkums par caurumu un elektronu plūsmu tranzistorā
57. BJT DARBĪBAS PAMATI: PN krustojums
58. PASTIPRINĀŠANA AR BJTS
59. LĪDZSVARA NOSACĪJUMI: kontakta potenciāls
60. Līdzsvara Fermi līmeņi
61. Kosmosa lādiņš krustojumā
62. OPTISKĀ ABSOBRCIJA
63. OPTISKĀS ABORBCIJĀS EKSPERIMENTS
64. LUMINESCENCE
65. Fotoluminiscence

Visas tēmas nav norādītas rakstzīmju ierobežojumu dēļ.

Iespējas :
* Nodaļas gudri pabeigt tēmas
* Bagātīgs lietotāja interfeisa izkārtojums
* Ērts lasīšanas režīms
* Svarīgas eksāmenu tēmas
* Ļoti vienkāršs lietotāja interfeiss
* Aptveriet lielāko daļu tēmu
* Ar vienu klikšķi iegūstiet saistīto visu grāmatu
* Mobilajām ierīcēm optimizēts saturs
* Mobilajām ierīcēm optimizēti attēli

Šī lietotne būs noderīga ātrai uzziņai. Izmantojot šo lietotni, visu koncepciju pārskatīšanu var pabeigt dažu stundu laikā.

Elektroniskās ierīces jeb Mikroelektroniskās ierīces un shēmas ir daļa no dažādu universitāšu elektronikas, elektrotehnikas un datorzinātņu inženierzinātņu izglītības kursiem.

Tā vietā, lai piešķirtu mums zemāku vērtējumu, lūdzu, nosūtiet mums savus jautājumus, problēmas un sniedziet mums vērtīgu vērtējumu un ieteikumu, lai mēs to varētu apsvērt turpmākajiem atjauninājumiem. Mēs ar prieku tos atrisināsim jūsu vietā.