Basics Of Electronic Devices

Анализ И Преглед На Приложения За Android: Basics Of Electronic Devices, Разработен От Engineering Wale Baba. Изброени В Категория Книги И Справочници. Текущата Версия Е 12.0, Актуализирана На 03/09/2024 . Според Прегледите На Потребителите В Google Play: Basics Of Electronic Devices. Постигнати Над 8 Хиляда Инсталации. В Момента Basics Of Electronic Devices Има 22 Отзива, Средна Оценка 3.8 Звезди

Приложението е предназначено за бързо учене, ревизии, справки по време на изпити и интервюта.

Това приложение има 140 теми в 5 глави, пълни с диаграми, уравнения и други форми на графични изображения за по-добро учене и бързо разбиране.

Това приложение обхваща повечето свързани теми и подробно обяснение с всички основни теми.

Някои от темите, обхванати в приложението Електронни устройства, са:

1. Преходни и a-c условия: промяна във времето на съхранения заряд
2. Фотодиод
3. P-N-P-N диод
4. Полупроводников управляван токоизправител
5. Светоизлъчващ диод
6. Тунелен диод
7. TRIAC
8. ДИАК
9. Биполярен транзистор с изолиран вход
10. GUNN диод- Основен принцип
11. GUNN диод - Механизмът на прехвърления електрон
12. PNPN диод - режим на блокиране и провеждане напред
13. Принцип на работа на слънчевата клетка
14. Характеристики на слънчевата клетка - I-V
15. Токоизправители
16. Пробивният диод
17. Фотодетектори
18. Фотодиодни уравнения
19. ПИН ФОТОДИОД
20. Лавинен фотодиод
21. Материали, излъчващи светлина
22. IMPATT диод
23. IMPATT диодна работа
24. Полупроводникови лазери
25. Полупроводникови лазери
26. Хетеропреходни лазери
27. Метални полупроводникови полеви транзистори (MESFET)
28. MESFET- Транзисторът с висока подвижност на електроните (HEMT)
29. Металния изолатор на полупроводниковия FET (MISFET)
30. MISFET при различни работни условия
31. Идеалният MOS кондензатор
32. MOSFET: Ефекти на реални повърхности
33. MOSFET: Зареждане на интерфейса
34. MOSFET: прагово напрежение
35. Анализ на напрежението на капацитета на MOS
36. MOSFET: Измервания на капацитет в зависимост от времето
37. Токово-волтови характеристики на MOS оксиди на затвора
38. MOSFET
39. MOSFET: Изходни характеристики
40. Проводимост и транспроводимост на MOSFET
41. MOSFET: Трансферни характеристики
42. MOSFET: Модели за мобилност
43. MOSFET: Ефективно напречно поле
44. Характеристики на късоканален MOSFET l-V
45. MOSFET: Контрол на праговото напрежение
46. ​​MOSFET: Корекция на прага чрез йонна имплантация
47. MOSFET: Ефекти на отклонение на субстрата
48. MOSFET: Подпрагови характеристики
49. Еквивалентна схема за MOSFET
50. MOSFET мащабиране и ефект на кратък канал
51. MOSFET: Горещи ефекти на носителя
52. MOSFET: Понижаване на бариера, предизвикано от източване
53. Ефект на кратък канал и ефект на тясна ширина на MOSFET
54. Изтичане на дренаж, предизвикано от порта в MOSFET
55. ОСНОВИ НА ДЕЙСТВИЕТО НА BJT
56. BJT: Резюме на потока на дупки и електрони в транзистор
57. ОСНОВИ НА РАБОТАТА НА BJT: PN възел
58. УСИЛВАНЕ С BJTS
59. УСЛОВИЯ НА РАВНОВЕСИЕ: Контактният потенциал
60. Равновесни нива на Ферми
61. Космически заряд на кръстовище
62. ОПТИЧНА АБСОРБЦИЯ
63. ЕКСПЕРИМЕНТ ЗА ОПТИЧНО ПОГЛЪЩАНЕ
64. ЛУМИНЕСЦЕНЦИЯ
65. Фотолуминесценция

Всички теми не са изброени поради ограничения на знаците.

Характеристика :
* Глава мъдър пълни теми
* Богато оформление на потребителския интерфейс
* Удобен режим на четене
* Важни изпитни теми
* Много прост потребителски интерфейс
* Покрийте повечето теми
* С едно щракване получите свързани All Book
* Съдържание, оптимизирано за мобилни устройства
* Мобилни оптимизирани изображения

Това приложение ще бъде полезно за бърза справка. Ревизията на всички концепции може да бъде завършена в рамките на няколко часа с помощта на това приложение.

Електронни устройства или микроелектронни устройства и схеми са част от образователните курсове по електроника, електроника и компютърни науки на различни университети.

Вместо да ни давате по-ниска оценка, моля, изпратете ни вашите запитвания, проблеми и ни дайте ценни оценки и предложения, за да можем да го разгледаме за бъдещи актуализации. Ще се радваме да ги решим вместо вас.

Read more