Basics Of Electronic Devices

Analýza A Revize Aplikací Pro Android: Basics Of Electronic Devices, Vyvinuté Společností Engineering Wale Baba. Uvedeno V Kategorii Knihy A Referenční Materiály. Aktuální Verze Je 12.0, Aktualizována Na 03/09/2024 . Podle Recenzí Uživatelů Na Google Play: Basics Of Electronic Devices. Dosaženo Více Než 8 Tisíc Instalací. Basics Of Electronic Devices Má V Současné Době Recenze 22, Průměrné Hodnocení 3.8 Hvězd

Aplikace je navržena pro rychlé učení, revize, reference v době zkoušek a pohovorů.

Tato aplikace má 140 témat v 5 kapitolách, doplněných diagramy, rovnicemi a dalšími formami grafických znázornění pro lepší učení a rychlé porozumění.

Tato aplikace pokrývá většinu souvisejících témat a podrobné vysvětlení se všemi základními tématy.

Některá z témat zahrnutých v aplikaci Elektronická zařízení jsou:

1. Přechodové a a-c podmínky: časové změny uloženého náboje
2. Fotodioda
3. P-N-P-N dioda
4. Polovodičově řízený usměrňovač
5. Světelná dioda
6. Tunelová dioda
7. TRIAK
8. DIAC
9. Bipolární tranzistor s izolovaným hradlem
10. GUNNova dioda- Základní princip
11. GUNNOVA dioda-Mechanismus přenesených elektronů
12. Dioda PNPN – režim dopředného blokování a vedení
13. Princip fungování solárních článků
14. Charakteristiky solárního článku-I-V
15. Usměrňovače
16. The Breakdown Diode
17. Fotodetektory
18. Fotodiodové rovnice
19. PIN FOTODIODA
20. Lavinová fotodioda
21. Materiály vyzařující světlo
22. Dioda IMPATT
23. Provoz diody IMPATT
24. Polovodičové lasery
25. Polovodičové lasery – pod dopředným předpětím
26. Provoz heterojunkčních laserů
27. Kovové polovodičové tranzistory s efektem pole (MESFET)
28. MESFET – tranzistor s vysokou elektronovou mobilitou (HEMT)
29. The Metal Insulator Semiconductor FET (MISFET)
30. CHYBNÉ ZASAŽENÍ za různých provozních podmínek
31. Ideální MOS kondenzátor
32. MOSFET: Efekty skutečných povrchů
33. MOSFET: Nabíjení rozhraní
34. MOSFET: Prahové napětí
35. Analýza kapacitního napětí MOS
36. MOSFET: Časově závislá měření kapacity
37. Proudově napěťové charakteristiky MOS hradlových oxidů
38. MOSFET
39. MOSFET: Výstupní charakteristiky
40. Vodivost a transkonduktance MOSFETu
41. MOSFET: Přenosové charakteristiky
42. MOSFET: Modely mobility
43. MOSFET: Efektivní příčné pole
44. Krátký kanál MOSFET l-V Charakteristika
45. MOSFET: Řízení prahového napětí
46. ​​MOSFET: Úprava prahu pomocí iontové implantace
47. MOSFET: Substrate Bias Effects
48. MOSFET: Podprahové charakteristiky
49. Ekvivalentní obvod pro MOSFET
50. MOSFET Scaling a efekt krátkého kanálu
51. MOSFET: Efekty horkého nosiče
52. MOSFET: Snižování bariéry vyvolané odvodněním
53. Efekt krátkého kanálu a efekt úzké šířky MOSFET
54. Gate-Induced Drain Leakage v MOSFET
55. ZÁKLADY PROVOZU BJT
56. BJT: Shrnutí toku děr a elektronů v tranzistoru
57. ZÁKLADY PROVOZU BJT: PN přechod
58. ZVÝŠENÍ S BJTS
59. ROVNOVÁŽNÉ PODMÍNKY: Kontaktní potenciál
60. Fermiho rovnovážné hladiny
61. Vesmírný náboj na křižovatce
62. OPTICKÁ ABSORPCE
63. EXPERIMENT S OPTICKOU ABSORPCÍ
64. LUMINESCENCE
65. Fotoluminiscence

Všechna témata nejsou uvedena kvůli omezení počtu znaků.

Funkce :
* Po kapitolách úplná témata
* Bohaté rozvržení uživatelského rozhraní
* Pohodlný režim čtení
* Důležitá témata zkoušek
* Velmi jednoduché uživatelské rozhraní
* Pokrývají většinu témat
* Jedním kliknutím získáte související All Book
* Obsah optimalizovaný pro mobily
* Obrázky optimalizované pro mobily

Tato aplikace bude užitečná pro rychlou orientaci. Revize všech konceptů může být dokončena během několika hodin pomocí této aplikace.

Electronic Devices nebo Microelectronic Devices and Circuits je součástí vzdělávacích kurzů elektroniky, elektrotechniky a informatiky na různých univerzitách.

Místo nižšího hodnocení nám prosím pošlete e-mail se svými dotazy, problémy a poskytněte nám cenné hodnocení a návrhy, abychom to mohli zvážit pro budoucí aktualizace. Rádi je za vás vyřešíme.

Read more