VLSI Design

Analýza A Revize Aplikací Pro Android: VLSI Design, Vyvinuté Společností Engineering Wale Baba. Uvedeno V Kategorii Knihy A Referenční Materiály. Aktuální Verze Je 13.0, Aktualizována Na 04/09/2024 . Podle Recenzí Uživatelů Na Google Play: VLSI Design. Dosaženo Více Než 11 Tisíc Instalací. VLSI Design Má V Současné Době Recenze 170, Průměrné Hodnocení 2.8 Hvězd

Tato aplikace je kompletní bezplatná příručka VLSI Design, která pokrývá důležitá témata, poznámky a materiály o kurzu.

má podrobně více než 90 témat VLSI Design. Tato témata jsou rozdělena do 5 celků.

Je součástí vzdělávání v oblasti elektroniky a komunikačního inženýrství, které přináší důležitá témata, poznámky, zprávy a blog na toto téma. Stáhněte si aplikaci jako rychlou referenční příručku a elektronickou knihu na toto téma elektroniky a komunikačního inženýrství.

Aplikace je navržena pro rychlé učení, revize, reference v době zkoušek a pohovorů.

Tato aplikace pokrývá většinu souvisejících témat a podrobné vysvětlení se všemi základními tématy.

Některá z témat obsažených v této inženýrské elektronické knize jsou:

1. Polovodičové paměti: Úvod a typy
2. Paměť pouze pro čtení (ROM)
3. Třítranzistorová buňka DRAM
4. Jeden tranzistorový článek DRAM
5. Flash paměť
6. Nízkoenergetické logické obvody CMOS: Úvod
7. Návrh CMOS invertorů
8. Invertory MOS: úvod do spínacích charakteristik
9. Techniky založené na skenování
10. Techniky vestavěného autotestu (BIST).
11. Historická perspektiva designu VLSI: Mooreův zákon
12. Klasifikace typů číslicových obvodů CMOS
13. Příklad návrhu obvodu
14. Metodiky návrhu VLSI
15. Návrhový tok VLSI
16. Hierarchie designu
17. Pojem pravidelnosti, modularity a lokality
18. Výroba CMOS
19. Tok výrobního procesu: Základní kroky
20. Výroba tranzistoru nMOS
21. Výroba CMOS: proces p-well
22. Výroba CMOS: n-well proces
23. Výroba CMOS: proces s dvojitou vanou
24. Nálepkové diagramy a návrh rozložení masky
25. MOS tranzistor: fyzikální struktura
26. Systém MOS pod externím předpětím
27. Struktura a činnost MOSFET
28. Prahové napětí
29. Proudové napěťové charakteristiky MOSFETu
30. Mosfet škálování
31. Účinky škálování
32. Malé geometrické efekty
33. Kapacity MOS
34. Měnič MOS
35. Charakteristiky přenosu napětí (VTC) měniče MOS
36. Střídače se zátěží MOSFET typu n
37. Měnič odporové zátěže
38. Návrh střídačů vyčerpání a zatížení
39. Invertor CMOS
40. Definice doby zpoždění
41. Výpočet časů zpoždění
42. Návrh měniče s omezením zpoždění: Příklad
43. Kombinované logické obvody MOS: úvod
44. Logické obvody MOS s vyčerpaným zatížením nMOS: Dvouvstupová brána NOR
45. Logické obvody MOS s vyčerpáním zatížení nMOS: Zobecněná struktura NOR s více vstupy
46. ​​Logické obvody MOS s vyčerpáním zatížení nMOS: Analýza přechodových jevů brány NOR
47. Logické obvody MOS s vyčerpáním zatížení nMOS: Dvouvstupová brána NAND
48. Logické obvody MOS s vyčerpáním zatížení nMOS: Zobecněná struktura NAND s více vstupy
49. Logické obvody MOS s vyčerpáním zatížení nMOS: Analýza přechodových jevů brány NAND
50. Logické obvody CMOS: hradlo NOR2 (dvouvstupové NOR).
51. Hradlo CMOS NAND2 (dvouvstupové NAND).
52. Uspořádání jednoduchých logických hradel CMOS
53. Komplexní logické obvody
54. Komplexní logická hradla CMOS
55. Rozložení komplexních logických bran CMOS
56. Brány AOI a OAI
57. Pseudo-nMOS brány
58. CMOS Full-Adder Circuit & carry zvlnění
59. Přenosové brány CMOS (průchozí brány)
60. Complementary Pass-Transistor Logic (CPL)
61. Sekvenční logické obvody MOS: Úvod
62. Chování bistabilních prvků
63. Západkový obvod SR
64. Taktovaná západka SR
65. Taktovaný JK Latch
66. Master-Slave Flip-Flop
67. CMOS D-Latch a Edge-Triggered Flip-Flop
68. Dynamické logické obvody: Úvod
69. Základní principy průchozích tranzistorových obvodů

Všechna témata nejsou uvedena kvůli omezení počtu znaků.

Každé téma je doplněno diagramy, rovnicemi a dalšími formami grafických znázornění pro lepší učení a rychlé porozumění.

Tato aplikace bude užitečná pro rychlou orientaci. Revize všech konceptů může být dokončena během několika hodin pomocí této aplikace.

Místo nižšího hodnocení nám prosím pošlete e-mail se svými dotazy, problémy a poskytněte nám cenné hodnocení a návrhy, abychom to mohli zvážit pro budoucí aktualizace. Rádi je za vás vyřešíme.

Read more