GATE (ME & PI)

Analýza A Recenzia Aplikácií Pre Android: GATE (ME & PI), Vyvinutý Spoločnosťou All Edu Apps. Uvedené V Kategórii Vzdelávanie. Aktuálna Verzia Je 8.0, Aktualizovaná Na 31/01/2025 . Podľa Recenzií Používateľov V Službe Google Play: GATE (ME & PI). Dosiahnuté Viac Ako Inštalácie 142 Tisíc. GATE (ME & PI) V Súčasnosti Má 5 Tisíc Recenzií, Priemerné Hodnotenie 4.4 Hviezd

→ Naša misia:

• Pomôžte študentom dosiahnuť akademickú dokonalosť.



Táto aplikácia je určená pre študentov mechanického a výrobného inžinierstva.


→ Funkcie aplikácie:


1. Jednoduché a užívateľsky prívetivé rozhranie.
2. 32 Častné papiere v predchádzajúcom roku z roka 1992 až 2016-III mechanickej pobočky a 6 plné z roku 2011 do roku 2016 výrobnej pobočky.
3. Téma múdre testy pre predchádzajúce otázky týkajúce sa predchádzajúceho roka.
4. funguje offline.
5. Časovač je nastavený automaticky v závislosti od značiek pre každú otázku.
6. Téma múdra analýza výkonnosti je uvedená na konci testu.
7. Poskytuje sa preskúmanie testov. Stav každej otázky je zobrazený (správny, nesprávny a nepokúšaný)
8. Paleta otázok pomáha pri navigácii a sledovaní odpovedaných otázok, nezodpovedaných otázok, otázok označených na preskúmanie atď.
9. Informácie o bráne 2016.
10. Pridajú sa pokyny týkajúce sa prípravy a užitočných odkazov rôznych online zdrojov.
11. Informácie o post-bráne ako hodnotenie IIT a M.Tech. Pridajú sa programy na rôznych IIT, obnovenie tipov a stratégie na získanie práce.
12. Ušetrite/zdieľajte svoje skóre na falošnom teste prostredníctvom stránok sociálnych sietí.
13. Podrobné riešenia sú k dispozícii na rok 2003, 2004 a 2014-I mechanickej pobočky.
14. Podrobné riešenia sú k dispozícii pre tému matematika od roku 2003 až 2014 Set-1
15. Získajte výstrahy na skúškach, vstupných a podrobnostiach úloh na svojom mobile.

na vylepšenie tejto aplikácie, napíšte nám na
{}[email protected] {{{}kewords: GATE GATE , strojárske inžinierstvo, výrobné a priemyselné inžinierstvo, IIT, NIT, Jobs, PSU, pracovné miesta v oblasti publikácie, UPSC,

Read more